2N7000

在电子设计的广阔天地中，您是否还在为寻找一款性能可靠、成本经济且易于使用的开关解决方案而烦恼？当信号需要被精准控制，小功率负载亟待高效驱动时，2N7000这颗经典的N沟道MOSFET，始终是工程师们心中值得信赖的伙伴。它可能不是参数最耀眼的明星，但其历经时间考验的稳定性和无与伦比的性价比，使其在无数应用中持续发光发热，成为从原型验证到成熟量产中不可或缺的一环。

想象一下，在您的智能家居控制板中，它正安静地执行着LED灯带的开关指令；在精密的测试仪器内部，它负责着信号路径的切换与隔离；甚至在那些有趣的创客项目里，它也是连接微控制器与世界，驱动小型继电器或电机的得力助手。2N7000凭借其60V的耐压能力和350mA的连续电流，完美适配低电压、小电流的开关场景。其TO-92-3的经典封装，让手工焊接与自动化贴片都变得轻松简单，大大降低了您的生产与维护门槛。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则意味着无论您的设备身处严寒还是酷热，它都能稳定运行，为产品的可靠性增添坚实砝码。

选择2N7000，就是选择了一份经过全球市场验证的安心。它源自业界巨头ST意法半导体的STripFET技术家族，品质有根本保障。虽然该型号已停产，但其市场存量充足，设计成熟度极高，能有效帮助您控制BOM成本，加速产品上市周期。更重要的是，通过我们专业的ST一级代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受快捷的供货支持与专业的技术服务。让我们为您提供这颗经典“开关”，助您轻松驾驭电路中的每一次通断，将创意与设计高效转化为现实价值。

• 型号:2N7000
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:43 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 现在可以订购2N7000，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能轻松驾驭低功率开关任务的“得力干将”吗？让2N7000来为您效劳！这颗来自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET，专为高效、可靠地控制小电流信号与负载而设计。

它能让您的微控制器或逻辑电路，以极低的驱动电压（仅需4.5V-10V）轻松掌控高达60V、350mA的负载通断。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应，让您的系统运行更迅捷。无论是驱动继电器、LED，还是进行信号切换，2N7000都能以经典的TO-92封装和稳定的性能，助您简化设计，提升整体方案的可靠性与性价比。