IRF630FP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

IRF630FP技术参数详情：

在追求更高能效与更稳定性能的电力控制领域，您是否正在寻找一颗能够承载重任、可靠耐用的功率开关核心？今天，我们为您带来一个历经市场验证的经典答案IRF630FP。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和9A的连续电流，为您构建坚固的电力防线，让能量流动尽在掌控。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动或DC-DC转换器的核心位置，IRF630FP正默默发挥着关键作用。其出色的MESH OVERLAY II技术，确保了极低的导通电阻（典型值仅400毫欧），这意味着在频繁的开关动作中，它能将能量损耗降至最低，把更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。无论是驱动一台小型工业设备中的电机，还是在消费类电子产品的电源模块中担任主开关，它都能提供流畅、高效的性能表现，让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择IRF630FP，就是选择了一份源自顶尖半导体技术的保障。其宽泛的工作温度范围（-65°C至150°C）赋予了它应对严苛环境挑战的强悍体质，而TO-220FP封装则兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的稳定性和广泛的应用口碑，使其在库存与替代方案选择中依然极具价值。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理，您不仅能获得关于这颗芯片的全面技术支持，还能确保所获产品的来源正宗与品质可靠，为您的项目从源头注入信心。

在成本与性能的天平上，IRF630FP找到了一个精妙的平衡点。它用经过时间淬炼的可靠性，帮助您简化设计、降低系统整体风险。当您需要一颗能扛起高压、通流重任，且经久耐用的MOSFET时，这款经典之作无疑是经过无数实践检验的明智之选。让我们携手，用这份经典的功率解决方案，为您的下一个创新注入强劲而稳定的动力。

型号:IRF630FP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？让IRF630FP来改变这一切！这颗N沟道MOSFET是您实现高效电能控制的秘密武器，它能轻松担当起开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。凭借200V的漏源电压和9A的连续电流处理能力，它让您能够从容应对中高功率场景，确保能量传输强劲而稳定。

更令人惊喜的是，其先进的MESH OVERLAY II技术带来了极低的导通电阻，显著减少了开关过程中的功率损耗，直接提升了您的整机效率。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，配合宽达-65°C至150°C的工作结温范围，让您的设备即使在苛刻环境下也能持续可靠运行。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的轻松与自信。