IRFP250

在追求极致效率与可靠性的功率转换世界里，您是否还在为如何平衡高电流承载与低导通损耗而烦恼？今天，我们为您带来一个久经市场考验的经典解决方案IRFP250。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达33A的连续漏极电流和200V的漏源电压，为众多严苛应用场景提供了坚实的性能基石。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的得力助手。

想象一下，在工业电机驱动、高频开关电源或是不间断电源（UPS）系统的核心位置，IRFP250正以其卓越的PowerMESH II技术默默工作。其低至85毫欧的导通电阻（在16A，10V条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。无论是驱动重型负载，还是在需要快速开关的PWM电路中，它都能提供稳定、高效的功率开关性能，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择IRFP250，就是选择了一份源自经典的可靠与价值。虽然它已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和依然充足的市场库存，使其成为许多经典设计升级或维护项目的理想选择。其TO-247-3封装提供了优异的散热能力，支持高达180W的功率耗散，确保在高温环境下也能稳定工作。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率开关时，IRFP250所代表的稳定性和性能表现，依然是难以替代的优质选项。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供正品保障，更能基于丰富的经验，为您在选型和应用上提供专业支持。

• 型号:IRFP250
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购IRFP250，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起大电流、压得住高电压的功率开关吗？IRFP250正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和高达33A的连续电流处理能力，让您在设计大功率电机驱动、高效开关电源或可靠的UPS系统时，拥有一个坚实可靠的核心。

它采用先进的PowerMESH II技术，实现了低至85毫欧的导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率，直接帮您节省能源成本。同时，其优化的栅极电荷和坚固的TO-247封装，确保了快速、干净的开关性能与出色的散热能力，让您的设备运行更稳定、更持久。