SCT30N120H - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

SCT30N120H技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为传统硅基器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的商业价值时，选择一款革命性的功率开关器件，就是为您的产品注入决胜未来的核心动力。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的新一代功率解决方案SCT30N120H，这颗基于尖端碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET，将彻底改变您对高压、高频、高效应用的想象。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，SCT30N120H凭借其1200V的超高耐压和极低的开关损耗，能让充电系统以更高的频率运行，从而大幅缩小磁性元件的体积和重量，实现更快的充电速度和更紧凑的整车布局。在光伏逆变器和UPS不间断电源领域，其高达200°C的结温工作能力和卓越的导通电阻表现，意味着系统可以在更严苛的环境下稳定运行，减少散热需求，提升功率密度，让您的设备在竞争中脱颖而出。无论是服务器电源、工业电机驱动还是储能系统，这颗芯片都能成为您提升产品性能、降低系统总成本的秘密武器。

选择SCT30N120H，就是选择了一份面向未来的技术保障。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是ST在宽禁带半导体领域深厚技术积淀的结晶。其SiCFET技术带来了近乎零的反向恢复电荷，显著降低了开关噪声和EMI干扰，让您的设计更简洁，系统更安静、更可靠。高达40A的连续漏极电流和270W的强大功率处理能力，配合H2PAK-2封装优异的散热特性，为您构建高功率密度、高可靠性的平台提供了坚实基石。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为市场领先的产品。

型号:SCT30N120H
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
系列:-
包装:剪切带（CT）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
Vgs（最大值）:+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:270W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压应用中的效率损失和散热设计头疼吗？SCT30N120H正是为您破解这些难题而生。这颗由ST意法半导体推出的1200V/40A SiC MOSFET，集成了碳化硅材料的全部优势，旨在让您的电源和电机驱动系统运行得更快、更冷、更高效。

它能让您轻松驾驭高压平台，其极低的导通电阻（仅100mΩ）和超快的开关速度，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，显著提升系统整体能效。同时，高达200°C的结温工作能力和卓越的封装散热性能，让您的产品设计拥有更大的余量和更高的可靠性。选择SCT30N120H，就是选择用更少的能源损耗、更小的散热器体积和更简化的电路设计，来实现更强大的功率输出与更持久的稳定运行。