SCTH35N65G2V-7AG

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，您是否还在为传统硅基器件的性能瓶颈而妥协？今天，我们为您带来一个颠覆性的答案SCTH35N65G2V-7AG。这款来自ST意法半导体的碳化硅（SiC）功率MOSFET，以其高达650V的耐压和45A的连续电流能力，正重新定义着高效能源转换的边界。它不仅仅是一个组件，更是您实现系统性能飞跃、打造下一代高竞争力产品的核心引擎。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，它能让充电过程更快、更安静、能量损失更少；在服务器电源或工业变频器中，它意味着更高的功率密度和更低的散热需求，让您的设备体积更小巧，运行更稳定。其卓越的开关特性，配合低至67毫欧的导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让系统整体效率轻松突破传统极限。无论是面对严苛的汽车级AEC-Q101标准，还是高达175°C的结温工作环境，它都展现出无与伦比的坚固性与可靠性，确保您的产品在激烈市场中稳如磐石。

选择SCTH35N65G2V-7AG，就是选择了一种面向未来的技术路径。碳化硅技术带来的高频、高效优势，让您能够简化拓扑、减少无源元件使用，从而优化整体系统成本和尺寸。其H2PAK-7封装也为散热设计和功率循环能力提供了强大保障。当您致力于开发更高效、更紧凑、更可靠的电源与驱动方案时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取详细技术支持与供货保障，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时准备为您服务。拥抱碳化硅，就是拥抱更高性能与能效的未来，让我们携手，用SCTH35N65G2V-7AG将您的创新蓝图变为现实。

• 型号:SCTH35N65G2V-7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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您正在寻找一颗能同时征服高效率、高功率密度和高可靠性的“心脏”吗？SCTH35N65G2V-7AG正是为您而来！这颗采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道MOSFET，拥有650V/45A的强悍规格，其极低的导通电阻和栅极电荷，能让您的电源转换系统以更少的损耗、更高的频率运行。

这意味着，您可以轻松设计出体积更小、散热需求更低的充电桩、太阳能逆变器或工业电机驱动器。它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，工作结温高达175°C，确保您的产品即使在最恶劣的环境下也能稳定高效地工作。选择它，就是为您的产品注入了领先一代的性能基因，让您在市场竞争中轻松赢得先机。