SCTH90N65G2V-7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

SCTH90N65G2V-7技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为传统硅基MOSFET的开关损耗和高温性能瓶颈而困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的竞争优势时，选择正确的功率器件就成为决定成败的关键。现在，让我们向您介绍一款划时代的解决方案SCTH90N65G2V-7，它不仅仅是一颗MOSFET，更是ST意法半导体基于先进碳化硅（SiC）技术为您带来的效率革命。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电机中，功率转换单元需要承受高频、高压、大电流的严苛考验。传统器件在这里往往力不从心，导致系统体积庞大、散热复杂、效率难以突破。而SCTH90N65G2V-7凭借其650V的耐压和90A的连续电流能力，如同一位不知疲倦的电力卫士，在175°C的高结温下依然稳定输出高达330W的功率。其核心秘密在于SiCFET技术，它带来了近乎零的反向恢复电荷和极低的开关损耗，让您的系统在更高频率下运行成为可能，从而显著缩小无源元件的体积和成本，让整体设计更加紧凑、高效。

这颗器件的魅力远不止于此。它的导通电阻（Rds(on)）在50A电流、18V驱动下仅为26毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性让驱动电路设计更为轻松，提升了系统的动态响应速度。无论是追求超高功率密度的数据中心电源，还是要求高可靠性和长寿命的太阳能逆变器，亦或是应对复杂电磁环境的电动汽车驱动，SCTH90N65G2V-7都能游刃有余，帮助您的产品在性能、效率和可靠性上全面领先。选择它，就是选择为您的核心动力单元注入一颗强劲而高效的“芯”。

为什么众多领先厂商在关键项目中纷纷转向SCTH90N65G2V-7？答案在于它提供的综合价值远超单一参数。它不仅仅降低了系统的运行损耗，节省了电费开支，更通过优异的高温工作能力和H2PAK-7封装带来的出色散热性能，大幅提升了系统的功率密度和长期可靠性，减少了维护需求。这直接转化为您产品更强的市场竞争力与更低的总体拥有成本。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，请认准官方授权的ST一级代理，确保获得原装正品与完整的应用保障。拥抱碳化硅的未来，从选择SCTH90N65G2V-7开始，让它成为您下一代高性能电源与驱动系统中最值得信赖的基石。

型号:SCTH90N65G2V-7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）:+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:330W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-7
封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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还在寻找能同时征服高效率、高频率和高温挑战的功率开关吗？SCTH90N65G2V-7正是为您而来的答案。这颗由ST意法半导体打造的N通道碳化硅FET，集650V耐压、90A大电流与极低的26毫欧导通电阻于一身，旨在让您的电源转换和电机驱动系统突破性能天花板。

它采用先进的SiCFET技术，能显著降低开关损耗，让您轻松实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，提升系统功率密度。其高达175°C的结温工作能力和优异的散热封装（H2PAK-7），确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择SCTH90N65G2V-7，就是为您的产品选择了更高的效率、更紧凑的设计和更可靠的未来。