SCTW100N65G2AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为传统硅基器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？今天，我们为您带来一场材料级的革命性突破SCTW100N65G2AG，这颗基于先进碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET，将重新定义650V高压应用的可能性。它不仅仅是一个开关，更是您实现系统小型化、高效化和高可靠性的核心引擎。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，更高的开关频率意味着更小的磁性元件和更紧凑的布局；在服务器电源和工业电机驱动中，更低的导通与开关损耗直接转化为更少的发热和更高的功率密度。SCTW100N65G2AG正是为此而生。其高达100A的连续电流能力和650V的耐压等级，为严苛的工业与汽车环境提供了坚实的保障。更令人振奋的是，它采用了ST独有的HiP247封装，卓越的热性能让功率耗散高达420W，确保在-55°C至200°C的宽广结温范围内稳定运行，从容应对任何挑战。

选择SCTW100N65G2AG，就是选择领先一代的技术优势。相较于传统硅器件，其碳化硅技术带来了革命性的低导通电阻（典型值仅26毫欧），以及极低的栅极电荷和输出电容，这直接意味着开关损耗的大幅降低和系统整体效率的显著提升。无论是追求超高效率的太阳能逆变器，还是要求严苛的汽车级AEC-Q101认证应用，它都能游刃有余。如果您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援，我们作为资深的ST芯片代理，不仅能提供原厂正品，更能为您提供从选型到应用的全方位支持。让这颗强大的SiCFET成为您下一代产品征服市场的秘密武器，开启高效、紧凑、可靠的电力转换新纪元。

• 型号:SCTW100N65G2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:420W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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还在为高压大电流应用的效率与散热头疼？让SCTW100N65G2AG为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自ST意法半导体的碳化硅（SiC）MOSFET，集成了650V耐压、100A大电流和超低导通电阻于一身，专为要求严苛的汽车（AEC-Q101）及工业应用而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更紧凑。先进的SiC技术配合HiP247封装，能显著降低开关和导通损耗，提升系统能效，同时卓越的散热能力（功耗高达420W）让您轻松应对高功率密度挑战。无论是车载充电、服务器电源还是电机驱动，选择它，就是选择了更高的可靠性和更强的市场竞争力。