SCTWA50N120

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，您是否仍在为传统硅基器件的性能瓶颈而妥协？当系统效率每提升一个百分点都意味着巨大的运营成本节约时，选择一款能够突破物理极限的功率开关器件，就成了决定产品竞争力的关键。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的革新之作SCTWA50N120，它不仅仅是一颗晶体管，更是通往下一代高效、紧凑、可靠电源设计的钥匙。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，SCTWA50N120凭借其1200V的耐压和65A的强大电流能力，能够轻松应对高压电池包的快速充电需求，同时将开关损耗降至最低，让充电过程更快、更凉、更安静。在工业伺服驱动或光伏逆变器中，其卓越的SiCFET技术意味着您可以在更高的开关频率下工作，从而大幅减小磁性元件和散热器的体积与重量，让您的整机设计前所未有的紧凑与轻量化。无论是数据中心服务器电源追求99%以上的铂金效率，还是新能源发电系统需要面对严苛的环境挑战，这颗芯片都能提供坚实的性能基石。

为何SCTWA50N120能从众多方案中脱颖而出？其核心在于ST先进的碳化硅（SiC）技术。相比传统硅基MOSFET或IGBT，它在导通电阻（低至69毫欧）、开关速度和工作温度（结温高达200°C）上实现了质的飞跃。这意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的发热。其独特的HiP247封装不仅提供了卓越的散热性能，也简化了您的PCB布局和组装流程。选择它，就是选择了更长的系统寿命、更低的维护成本和更绿色的能源利用。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴来获取这颗尖端芯片，我们作为专业的ST芯片代理，将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，助您将前沿技术快速转化为市场优势。

• 型号:SCTWA50N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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还在为功率转换系统的效率、体积和发热问题烦恼吗？让SCTWA50N120为您带来颠覆性的解决方案！这颗基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率FET，集1200V高压、65A大电流与超低导通电阻于一身，能显著降低开关和导通损耗。

它让您轻松实现更高频率的开关操作，从而大幅缩小电感、变压器等被动元件的尺寸，助力打造出更紧凑、更轻量化的电源模块或电机驱动器。其高达200°C的结温工作能力和卓越的HiP247封装散热性能，确保了系统在严苛环境下的长期可靠运行，为您提升产品能效等级和可靠性提供强大芯动力。