STB100N6F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB100N6F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为系统损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够同时承载100A大电流、导通电阻却低至5.6毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？今天，我们为您带来的正是这样一款性能标杆STB100N6F7。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET F7系列，这款N沟道MOSFET天生为高效而生。其60V的漏源电压和100A的连续漏极电流能力，为它赋予了应对严苛工况的强健体魄。无论是服务器电源中需要处理瞬态大电流的同步整流环节，还是工业电机驱动中要求快速响应的桥臂开关，STB100N6F7都能游刃有余。在新能源领域，从电动汽车的OBC（车载充电机）到储能系统的DC-DC转换器，它的低导通损耗直接转化为更长的续航里程和更低的运行成本，让绿色能源真正高效落地。

选择STB100N6F7，就是选择了一份可靠与高效的保障。其极低的栅极电荷（仅30nC）意味着驱动损耗大幅降低，开关速度更快，让您的系统频率可以设计得更高，从而缩小磁性元件的体积和成本。表面贴装的D2PAK封装不仅提供了优异的散热路径，其高达125W的功率耗散能力与宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了即使在环境恶劣的户外或持续高负载运行下，性能依然稳定如初。这一切卓越特性的背后，是ST意法半导体深厚的工艺积淀和对品质的严苛把控。

当您决定将如此卓越的芯片集成到您的下一代产品中时，选择一个可靠的技术与供应链伙伴至关重要。我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，以确保获得原装正品、完整的技术支持以及稳定的供货保障。让STB100N6F7成为您电力电子设计的核心支柱，与我们一同开启高效、可靠的新篇章，将产品的性能与价值推向全新高度。

型号:STB100N6F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找那颗能扛起大电流、压降低、开关快的“全能型”功率开关吗？STB100N6F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达100A的电流处理能力，其核心魅力在于超低的5.6毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它不仅能轻松应对严苛的功率切换任务，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能让您实现更高频率的开关设计，从而缩小整体方案尺寸，降低成本。无论是提升能效、增强可靠性还是优化空间布局，STB100N6F7都是您实现设计目标的得力助手。