STB11NK40ZT4

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时保持超低损耗的功率开关而反复权衡？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族的明星成员STB11NK40ZT4。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您构建高效、紧凑、耐用电源系统的强大引擎。它凭借400V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的功率处理基础，而其核心的SuperMESH技术，则意味着更低的导通电阻和更快的开关速度，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器或高效照明镇流器中，STB11NK40ZT4正扮演着核心开关的角色。无论是家用电器中的离线式电源，还是工业设备中的辅助电源，它都能游刃有余。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，确保在高达110W的功率耗散下稳定工作，其表面贴装的设计也完美契合现代自动化生产的需求，助力您快速实现产品量产。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境下都能保持一贯的出色表现。

选择STB11NK40ZT4，就是选择了一份由顶尖半导体技术带来的安心与价值。它极低的栅极电荷（仅32nC）和输入电容，意味着驱动电路可以更简单、更高效，进一步降低系统整体成本。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，请务必认准官方授权的ST一级代理，他们能确保您获得原装正品和全面的服务。让STB11NK40ZT4成为您下一个爆款产品的“动力心脏”，它将用卓越的性能和可靠性，助您的产品在市场竞争中脱颖而出，赢得更多客户的信赖与选择。

• 型号:STB11NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能轻松驾驭400V高压、提供高达9A强劲电流的功率开关吗？STB11NK40ZT4正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有低至550毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它不仅能处理高达110W的功率，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能让您轻松设计驱动电路，实现更快的开关频率和更低的开关损耗。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动高性能电机，STB11NK40ZT4都能让您以更少的发热和更高的可靠性，轻松达成设计目标，全面提升终端产品的能效与市场竞争力。