STB120N4LF6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB120N4LF6技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为寻找一款既能承载大电流、又具备超低损耗的功率开关而烦恼？想象一下，一个关键元件就能显著提升整个系统的续航与可靠性，这正是STB120N4LF6为您带来的核心价值。作为意法半导体Automotive AEC-Q101认证家族中的明星成员，它专为应对严苛挑战而生，将卓越性能与坚固耐用完美结合。

无论是新能源汽车的电机驱动、车载DC-DC转换器，还是工业电源、大功率LED照明驱动，STB120N4LF6都能游刃有余。其高达80A的连续漏极电流和仅4毫欧的超低导通电阻，意味着在传递强大动力的同时，能将能量损耗降至最低，直接转化为更长的运行时间、更低的温升和更小的散热设计压力。在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，确保了从冰天雪地到炎热酷暑的全天候可靠性，让您的产品无惧环境考验。

选择STB120N4LF6，就是选择了一份经得起验证的品质承诺。它集成了ST先进的DeepGATE和STripFET VI技术，不仅优化了开关性能，更在紧凑的D2PAK封装内实现了极高的功率密度。这意味着您可以在不牺牲板级空间的前提下，获得顶级的功率处理能力。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能确保您顺利地将这颗高性能芯片的价值，快速转化为产品的市场竞争力。现在就让它成为您下一代高能效设计的动力核心，开启高效、可靠的新篇章。

型号:STB120N4LF6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？STB120N4LF6正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有40V耐压和高达80A的电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅4毫欧。这意味着它能大幅降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您提升产品续航或降低散热成本。

得益于Automotive AEC-Q101车规认证和先进的STripFET VI技术，它不仅能轻松应对汽车电机驱动、车载充电等严苛应用，同样也是工业电源、UPS系统和大电流DC-DC转换器的理想选择。优异的栅极电荷特性让驱动设计更简单，开关更迅速。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏。