STB12NM50FDT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB12NM50FDT4技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑的功率模块时，是否曾为寻找一颗兼具高性能与高可靠性的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的STB12NM50FDT4，正是意法半导体FDmesh系列中的一颗明星产品，它将以500V的耐压和12A的连续电流能力，重新定义您对功率密度的想象。这颗采用先进平面工艺的N沟道MOSFET，不仅拥有极低的导通电阻，更能确保在严苛的开关环境中稳定运行，是您提升整机效率、缩小产品体积的得力助手。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明系统中，STB12NM50FDT4能够轻松应对高频开关带来的挑战。其优异的栅极电荷和输入电容特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高效与节能之间找到完美平衡。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的硬开关，还是LLC谐振拓扑中的软开关，它都能游刃有余，确保能量以最小的损耗进行转换。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

为什么众多工程师在关键设计中信赖STB12NM50FDT4？答案在于其背后强大的技术底蕴与卓越的性能表现。FDmesh技术带来了更优的品质因数，确保在高压大电流下依然保持低温升。其坚固的D2PAK封装提供了出色的散热能力和机械强度，非常适合要求严苛的工业环境。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上充足的库存，使其依然是许多经典和延续性项目的理想选择。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功加上一道可靠的保险。

型号:STB12NM50FDT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:160W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换效率不够高而头疼吗？STB12NM50FDT4就是您提升系统性能的利器。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和12A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源或电机驱动设计运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的FDmesh技术和坚固的D2PAK封装，不仅确保了出色的电气性能，还提供了卓越的散热能力与可靠性。无论是用于开关电源、逆变器还是照明镇流器，STB12NM50FDT4都能帮助您轻松实现更高的功率密度和更长的产品寿命，是工程师构建高性能、高可靠性功率系统的信心之选。