STB12NM50ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB12NM50ND技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统温升而烦恼？当500V高压应用需要兼顾高可靠性与紧凑设计时，STB12NM50ND的出现，正是为了终结这种两难选择。这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术打造的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能，正在重新定义中高压功率转换的效率和密度边界。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，它能够轻松应对严苛的开关环境。高达11A的连续漏极电流承载能力和500V的漏源击穿电压，为系统提供了坚固的安全余量。而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅380毫欧，这意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关瞬态，进一步削减了开关损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STB12NM50ND，就是选择了一份经过验证的可靠性。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能和机械强度，适合自动化表面贴装生产，更能确保在高达150°C结温下稳定工作。无论是用于提升现有产品线的性能，还是开发下一代高效能电源方案，它都能成为您设计中值得信赖的功率开关核心。我们作为专业的ST一级代理，不仅能提供稳定可靠的货源，更能为您提供深度的技术支持和选型指导，帮助您将这颗芯片的潜力转化为产品的实际市场优势。让STB12NM50ND的强大动力，驱动您的创意走向成功。

型号:STB12NM50ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压MOSFET吗？STB12NM50ND正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体的FDmesh II技术，拥有500V的耐压和11A的电流处理能力，其超低的380毫欧导通电阻能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片旨在简化您的设计并提升性能。它具备快速的开关特性（低栅极电荷）和优化的热性能（D2PAK封装），能轻松应对频繁开关的严苛环境。无论是用于开关电源、功率因数校正还是照明镇流器，STB12NM50ND都能让您以更少的散热设计负担，实现更高的功率密度和系统可靠性，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。