STB130NS04ZBT4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？STB130NS04ZBT4的到来，正是为了终结这种两难局面。这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其MESH OVERLAY技术的卓越基因，将33V的耐压与高达80A的连续电流承载能力融为一体，为您带来前所未有的功率密度与效率体验。想象一下，仅9毫欧的超低导通电阻，意味着在40A的大电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量，让您的系统运行得更冷静、更持久。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是汽车电子中关乎可靠性的辅助电源模块，STB130NS04ZBT4都能游刃有余。其宽泛的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定如山。D2PAK的封装形式不仅提供了优异的散热路径，也兼容主流的高功率表面贴装工艺，让您的生产集成高效而便捷。当您需要构建一个既紧凑又强健的功率链路时，它无疑是那个值得信赖的核心开关。

选择STB130NS04ZBT4，不仅仅是选择了一颗高性能的元器件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它高达300W的功率耗散能力，配合优化的栅极电荷（仅80nC），显著降低了开关损耗，提升了整体系统频率与响应速度。这意味着您的终端产品将具备更强的竞争力更长的续航、更小的体积、更低的温升。虽然该型号目前已停产，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的稳定与延续。让这颗凝聚了尖端技术的MOSFET，成为您撬动更高能效市场的得力支点。

• 型号:STB130NS04ZBT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB130NS04ZBT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关迅猛的“功率开关”吗？STB130NS04ZBT4正是为您而来。它拥有33V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，凭借其MESH OVERLAY技术，实现了惊人的9毫欧超低导通电阻。这意味着在您的大电流DC-DC转换器或电机驱动电路中，它能极大地减少导通损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非变成热量，从而让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计轻松应对高功率密度挑战。其优化的栅极电荷（典型值80nC）和输入电容，确保了快速干净的开关特性，有助于提升系统工作频率和动态响应。无论是用于同步整流提升效率，还是作为核心开关管控制电机启停，STB130NS04ZBT4都能提供稳定可靠的性能，助您打造出更具市场竞争力的高能效产品。