STB140NF55T4

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STB140NF55T4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，将高性能与高可靠性完美融合，是您构建下一代高效电源系统的理想心脏。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，系统需要处理高达80A的连续电流，同时必须将导通损耗降至最低。STB140NF55T4正是为此而生。其仅8毫欧的超低导通电阻（在40A，10V条件下），意味着在电流通过时产生的热量大幅减少，直接提升了整机效率并简化了散热设计。无论是面对严苛的工业环境（工作温度范围-55°C至175°C），还是需要紧凑布局的消费类高端充电设备，它都能游刃有余，确保系统稳定、冷静地运行。

选择STB140NF55T4，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份由尖端技术背书的价值承诺。它高达300W的功率耗散能力，配合D2PAK封装提供的优异散热特性，让您的产品在功率密度和长期可靠性上双双赢得竞争优势。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了从芯片到服务的全程保障。让STB140NF55T4成为您产品性能飞跃的基石，开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:STB140NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB140NF55T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STB140NF55T4正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

得益于STripFET II技术和D2PAK封装，它不仅提供了强大的300W功率耗散能力，确保在高负荷下稳定工作，其优异的栅极电荷特性也让驱动设计更为轻松高效。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏，轻松应对从工业控制到高端电源的各种挑战。