STB140NF75T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB140NF75T4技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当系统需要承载高达120A的持续电流时，选择一款兼具低导通电阻与快速开关性能的MOSFET，往往是决定项目成败的关键。今天，我们为您带来的STB140NF75T4，正是意法半导体STripFET III技术家族的杰出代表，它不仅仅是一个功率开关，更是您提升系统效率、实现设计突破的可靠伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器的核心位置，电流汹涌澎湃，热量不断积聚。这正是STB140NF75T4大显身手的舞台。其惊人的7.5毫欧超低导通电阻（Rds(on)），意味着在相同的电流下，它产生的导通损耗远低于同类产品，直接将更多电能高效地输送给负载，而非浪费在发热上。高达310W的功率耗散能力，配合D2PAK封装优异的散热特性，让它在严苛的热环境中依然能稳定工作，保障系统长时间可靠运行。无论是应对电动汽车充电模块的瞬态冲击，还是满足不间断电源(UPS)对效率与可靠性的双重苛求，它都能游刃有余。

选择STB140NF75T4，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让您的系统在高频下工作得更加安静、高效。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，从酷寒的户外设备到高温的机柜内部，性能始终如一。当您需要为关键项目寻找顶级性能与可靠性的平衡点时，这颗芯片提供的价值远超其本身。我们作为值得信赖的ST代理，不仅能确保您获得原装正品，更能提供专业的技术支持，助您将这颗强大芯片的潜力完全释放，共同打造更具市场竞争力的下一代产品。

型号:STB140NF75T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:218 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:310W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？STB140NF75T4 N沟道功率MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体先进的STripFET III技术打造，拥有仅7.5毫欧的超低导通电阻，能轻松处理高达120A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片的强大之处在于其卓越的整体性能。它不仅拥有75V的耐压和310W的强大功率处理能力，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能实现快速开关，有效降低开关损耗，提升系统频率响应。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，散热性能优异，工作温度范围宽广，确保在各种严苛环境下稳定可靠。选择STB140NF75T4，就是为您的设计注入一股强劲而高效的动力源泉。