STB14N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与低损耗难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STB14N80K5。这款基于意法半导体革命性MDmesh K5技术的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高压应用注入强大而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、并确保长期可靠性的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明驱动中，STB14N80K5能够大显身手。其极低的导通电阻（典型值远低于445毫欧）意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更快、更干净，显著降低了开关损耗，使得高频开关电源设计变得游刃有余。无论是应对严苛的工业环境，还是追求极致效率的消费类高端电源，它都能提供稳定如一的表现。

选择STB14N80K5，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其D2PAK封装不仅提供了出色的功率处理能力（最大耗散功率130W），还兼顾了表面贴装的生产便利性与散热效能。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种极端条件下依然坚若磐石。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持和充足的货源供应。让STB14N80K5成为您下一代高性能设计的基石，轻松驾驭高压高功率挑战，将产品的竞争力提升到全新高度。

• 型号:STB14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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当您的设计需要应对800V高压并处理高达12A的电流时，STB14N80K5就是为您量身打造的动力引擎。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，旨在让您轻松实现高效、可靠的功率转换。

它凭借极低的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，并帮助缩小散热器尺寸。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的电源、电机驱动或逆变器应用选择了经得起考验的高性能与长寿命保障。