STB150NF55T4

当您的电源转换系统面临效率瓶颈，或者开关损耗正在侵蚀整体性能时，您是否在寻找一个既能承载大电流，又能将导通损耗降至最低的可靠解决方案？答案就在STB150NF55T4这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。凭借其仅为6毫欧的超低导通电阻，在高达120A的连续电流下，它能显著减少热量产生，将更多电能高效地输送到负载端，这意味着更低的运营成本和更出色的系统可靠性。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或新能源车载充电机中，STB150NF55T4正以其强悍的性能稳定运行。它55V的漏源电压和高达300W的功率处理能力，使其能够从容应对各种严苛的开关环境。无论是需要快速响应的同步整流应用，还是对热管理要求极高的高密度电源模块，它都能凭借优异的STripFET II技术，提供稳定、高效的功率开关性能，确保您的终端设备在激烈的市场竞争中保持领先。

选择STB150NF55T4，就是选择了一份由尖端技术与卓越品质共同铸就的保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在极端环境下依然稳定可靠。同时，通过我们专业的ST授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品，还能得到从选型支持到供应链保障的全方位服务。这颗芯片将复杂的功率管理难题化繁为简，让您能够更专注于系统创新与整体性能优化，最终打造出更高效、更可靠、更具市场吸引力的产品。

• 型号:STB150NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB150NF55T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致效率的功率电子世界，您需要一个既能“扛得住”又能“省得多”的开关核心。STB150NF55T4正是为此而生。它拥有120A的强大电流承载能力和低至6毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让热量更少，性能更稳。

这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，具备55V的耐压和优异的开关特性。它能让您的电源转换或电机驱动设计更加高效紧凑，轻松应对高功率密度挑战。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。