STB15N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STB15N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其高达800V的漏源电压和14A的连续漏极电流能力，正重新定义高压应用的性能标杆。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器的核心电路中，STB15N80K5正以其卓越的性能稳定运行。它源自ST引以为傲的SuperMESH5技术平台，这项尖端技术将极低的导通电阻（Rds(on)）与超快的开关特性完美结合。这意味着在相同的电流下，芯片自身的导通损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。对于设计工程师而言，这直接转化为更简洁的散热设计、更小的系统体积以及整体能效的显著跃升，让您的产品在能效认证和市场竞争中轻松占据先机。

选择STB15N80K5，就是选择了一份从容与安心。其坚固的D2PAK封装提供了出色的功率耗散能力（高达190W），确保芯片在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内依然稳定可靠。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动电路设计变得更为简单高效，有效降低了开关损耗，提升了系统频率响应。无论您是在升级现有产品线，还是开发面向未来的新能源、充电桩等前沿应用，这颗芯片都能为您提供坚实的性能基石。如果您正在寻找可靠的供货与技术支援，专业的ST芯片代理将是您值得信赖的合作伙伴，助您快速将这一强大芯片集成到您的创新设计中，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STB15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB15N80K5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，轻松应对高压挑战，同时享受极低的导通损耗带来的能效提升。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作更高效。其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化电路设计，提升系统整体响应。采用坚固的D2PAK封装，散热能力出众，确保在高温环境下持续稳定运行，为您的产品长期可靠性保驾护航。