STB16N90K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB16N90K5技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一款能同时兼顾高耐压、低损耗与卓越可靠性的功率开关解决方案？答案就在STB16N90K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高性能N沟道MOSFET，以其900V的超高漏源电压和仅为330毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效能电源设计的新篇章。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用环境中，系统需要稳定处理高功率，同时必须将能量损耗和发热降至最低。STB16N90K5正是为此而生。其MDmesh K5技术通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了开关损耗与导通损耗的完美平衡。这意味着在频繁开关的工况下，它能显著减少能量浪费，让您的终端设备运行更凉爽、更安静，寿命也更长久。无论是应对电网波动，还是驱动感性负载，其稳健的900V耐压都提供了充足的安全裕度，让设计工程师安心无忧。

选择STB16N90K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它高达190W的功率耗散能力，结合D2PAK封装优异的散热特性，让功率密度得以大幅提升，帮助您设计出更紧凑、更轻巧的产品。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了从酷寒到炎热的极端环境下都能稳定工作。这颗芯片的价值，不仅体现在单个器件的优异参数上，更体现在它能为整个系统带来的效率飞跃和可靠性提升上。如需获取详细的技术支持与供货保障，您可以随时联系专业的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全链路服务。

归根结底，在追求极致能效的今天，每一个百分点的提升都意义重大。STB16N90K5正是您实现这一目标的得力伙伴。它用更少的能量损耗，传递更强的功率；用更小的温升，保障更长的运行时间。让它成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心，共同创造出更绿色、更高效、更具市场竞争力的电子产品。

型号:STB16N90K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高压重担，同时保持冷静高效的功率开关吗？STB16N90K5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达900V的击穿电压和15A的连续电流能力，其核心价值在于MDmesh K5技术带来的革命性低导通电阻仅330毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。超低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关特性，有效减少开关损耗，提升整体频率和效率。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STB16N90K5都能提供卓越的可靠性和稳定性，其坚固的D2PAK封装和宽工作温度范围，让您的设计无惧挑战，高效前行。