STB16NK65Z-S

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高压、高功率应用下的开关损耗和热管理难题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STB16NK65Z-S。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和13A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、简化散热设计、确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动等严苛的应用场景中，系统需要频繁应对高压冲击和高电流负载。STB16NK65Z-S正是为此而生。其先进的SuperMESH技术，在10V驱动电压下实现了极低的导通电阻（典型值），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当您的设备在满负荷运行时，它能保持冷静，让整个系统的能效表现脱颖而出，直接转化为更低的运营成本和更强的市场竞争力。

选择STB16NK65Z-S，就是选择了一份经过时间考验的可靠性。其高达190W的功率耗散能力（壳温条件下）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。通孔I2PAK封装不仅提供了优异的散热路径，也带来了坚固的机械特性。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量市场和升级替换方案中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购，为您的项目成功加上一道可靠的保险。

• 制造商产品型号：STB16NK65Z-S
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：89nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2750pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高电流的“硬核”开关吗？STB16NK65Z-S正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和13A的连续电流处理能力，基于ST领先的SuperMESH技术打造，能显著降低开关损耗和导通电阻，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对严苛的功率转换挑战。其优化的栅极电荷和输入电容特性，有助于简化您的驱动电路设计，提升开关速度。同时，坚固的I2PAK通孔封装和高达190W的功率耗散能力，为您提供了出色的散热性能和长期可靠性保障，是构建高稳定性工业级应用的坚实基石。