STB16NS25T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB16NS25T4技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源和电机驱动方案中，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能够轻松驾驭250V高压、承载16A强劲电流的开关核心，将如何彻底改变您的产品性能格局？现在，答案就在STB16NS25T4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升系统可靠性、迈向高效能时代的强大引擎。

它天生为挑战而生。凭借其卓越的MESH OVERLAY技术，STB16NS25T4在导通电阻与栅极电荷之间取得了精妙的平衡，这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度。当您的设备需要处理频繁的功率切换时无论是服务器电源中的DC-DC转换，工业变频器驱动电机，还是不断电系统(UPS)中的关键开关这颗芯片都能以极高的效率稳定运行，将电能损耗降至最低，把每一分电力都转化为实实在在的性能输出。其高达140W的功率处理能力和175°C的结温工作范围，确保了即使在严苛的热环境下也能游刃有余，为您的设计提供了充裕的安全边际和长期运行的信心保障。

选择STB16NS25T4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用的经典D2PAK封装，不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，助力您实现规模化、高效率的生产制造。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其成为许多经典和特定应用场景的优选方案，库存与供应可通过专业的ST代理渠道进行咨询。对于寻求高性价比、高可靠性解决方案的工程师而言，这颗芯片代表着一个时代的性能标杆，它能无缝集成到您的功率架构中，化繁为简，让复杂的高压功率控制变得稳定而高效，最终赋能您的终端产品，在市场竞争中赢得先机。

型号:STB16NS25T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关吗？STB16NS25T4正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有250V的耐压和16A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或功率转换电路时信心十足，轻松应对各种高压挑战。

它采用了先进的MESH OVERLAY技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，同时栅极电荷优化出色。这意味着它能显著降低导通损耗，提升开关效率，让您的系统运行更凉爽、更节能。其坚固的D2PAK封装确保了卓越的散热性能，结合高达175°C的工作结温，保障了设备在恶劣环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的心脏。