STB18N55M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，一个卓越的解决方案已经到来STB18N55M5，这颗源自意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而精心打造。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，系统需要稳定处理高达550V的电压和16A的连续电流。这正是STB18N55M5大显身手的舞台。其先进的MDmesh V技术，在相同的封装尺寸下，实现了更低的导通电阻和更优的开关性能。这意味着在频繁的开关动作中，能量以热的形式耗散得更少，系统的整体效率得以显著提升，同时散热设计的压力也大大减轻，让您的设备运行得更凉爽、更持久。

选择STB18N55M5，就是选择了一份可靠与高效的双重保障。其192毫欧的超低导通电阻（在8A, 10V条件下），直接转化为更低的传导损耗，让每一分电能都物尽其用。高达110W的功率处理能力和150°C的结温，确保了它在严苛环境下的稳定表现。无论是面对突发的电流冲击，还是长期的高负荷运行，它都能从容应对。当您需要为高性能应用寻找可靠的功率核心时，通过专业的ST代理商获取这颗芯片，无疑是通往成功设计的捷径。它将复杂的功率管理化繁为简，让您能够更专注于系统创新与性能优化，最终打造出在市场上脱颖而出的终端产品。

• 型号:STB18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为如何平衡电源系统的高压、大电流与高效率而烦恼吗？让STB18N55M5为您提供答案。这颗550V/16A的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh V技术，能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的电源转换效率，让系统运行更节能、散热更轻松。

它集高耐压、大电流承载能力和优异的动态特性于一身。高达110W的功率耗散能力和150°C的工作结温，确保其在工业电源、电机控制等 demanding 应用中的长期可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏，让性能提升变得简单直接。