STB18N60DM2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB18N60DM2技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STB18N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入强大而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、缩小产品体积、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高性能LED照明驱动器中，STB18N60DM2正以其卓越的性能默默工作。它基于先进的MDmesh DM2技术平台打造，其超低的导通电阻（RDS(on)）意味着更少的传导损耗，电能得以更高效地传递而非转化为无谓的热量。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关过程中的能量损失，让您的系统即使在高速开关频率下也能保持冷静与高效，轻松应对严苛的工业环境与连续满载运行的挑战。

选择STB18N60DM2，就是选择了一份经得起考验的可靠保障。其高达150°C的结温工作能力和坚固的D2PAK封装，确保了器件在高温高应力环境下的长期稳定性，极大延长了产品的使用寿命。这意味着更低的现场故障率、更少的维护成本和更高的客户满意度。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一个爆款产品中无可替代的“能量心脏”，驱动创新，赢在未来。

型号:STB18N60DM2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:90W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与出色热性能的功率开关吗？STB18N60DM2正是为您而来。这颗采用ST先进MDmesh DM2技术的600V/12A MOSFET，拥有极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗与传导损耗，让您的电源或电机驱动方案轻松实现更高的能效等级与功率密度。

它能让您的设计在更小的空间内释放更大的能量，同时凭借其优异的散热能力和坚固的D2PAK封装，确保系统在高温环境下稳定运行，大幅提升产品的耐用性与市场竞争力。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一份高效与可靠的双重保障。