STB18NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB18NM60ND技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能同时兼顾低损耗、高鲁棒性和出色热管理的解决方案，将如何彻底改变您的电源、电机驱动或照明系统？今天，我们为您带来的STB18NM60ND，正是这样一颗能够释放设计潜能、定义性能新标准的功率MOSFET。

源自ST意法半导体备受赞誉的FDmesh II技术平台，这颗芯片绝非普通的高压开关。其600V的漏源电压和13A的连续电流能力，为应对严苛的工业环境提供了坚实的基础。但真正的魅力在于其内在的优化：仅290毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而不是令人头疼的热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则带来了另一个关键优势极快的开关速度。这不仅减少了开关损耗，提升了整体效率，更能让您的控制系统响应更为敏捷，在变频驱动、高频开关电源等应用中游刃有余。

无论是服务器电源需要的高功率密度，还是工业电机驱动追求的稳定与耐用，亦或是LED照明驱动所需的精准调光控制，STB18NM60ND都能完美胜任。其D2PAK封装提供了优异的散热路径，结合高达110W的功率耗散能力，确保芯片在长时间、高负荷运行下依然保持冷静，将系统可靠性提升到一个新的层次。高达150°C的结温工作范围，赋予了设计者更大的余量和应对突发状况的信心，让您的产品从容面对全球市场的多样化需求。

选择STB18NM60ND，不仅仅是选择了一颗性能参数出色的元器件，更是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，能够帮助您缩短研发周期，加速产品上市。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。现在就为您的下一代高效能设计，注入这颗强大的“芯”动力吧！

型号:STB18NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB18NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能显著提升系统效率与可靠性的高压开关管吗？STB18NM60ND正是您的理想之选。这颗基于先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和13A电流能力，其核心价值在于极低的290毫欧导通电阻和优化的开关特性，能大幅降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的D2PAK封装，散热性能出众，支持高达110W的功率耗散，结温可达150°C，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。无论是用于工业变频器、开关电源(SMPS)还是PFC电路，STB18NM60ND都能以卓越的性能，助您轻松构建更紧凑、更可靠且能效比更高的终端产品。