STB18NM80

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，当您的电源设计需要同时应对800V高压和17A大电流时，传统的解决方案往往意味着效率的妥协或成本的攀升。现在，这一切有了全新的答案STB18NM80，这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破这种困境而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统可靠性、简化热管理并最终赢得市场竞争力的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断演进的新能源汽车充电桩和太阳能逆变器，STB18NM80都能游刃有余地扮演核心角色。其800V的漏源电压击穿能力，为您提供了充足的设计余量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而高达17A的连续电流承载能力，结合仅为295毫欧的超低导通电阻，意味着在传导路径上的能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是转化为令人头疼的热量。这直接转化为更小的散热器尺寸、更低的系统温升，以及更长的产品使用寿命。

选择STB18NM80，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用的MDmesh技术，在硅片层面进行了深度优化，实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。这不仅带来了更低的开关损耗，尤其在硬开关拓扑中优势明显，也使得驱动电路的设计更为轻松。70nC的栅极电荷和10V的标准驱动电压，让您能够使用广泛且经济的驱动IC，加速产品上市进程。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您获得的每一颗芯片都拥有原厂品质与完整的技术支持。当您的设计目标指向高效率、高功率密度和高可靠性时，STB18NM80无疑是您电路板上那颗最值得托付的“强力心脏”，助力您的产品在激烈的市场中脱颖而出。

• 型号:STB18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB18NM80，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且运行起来冷静高效的功率开关吗？STB18NM80正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有800V的坚固耐压和17A的强大电流通过能力，其核心秘密在于ST先进的MDmesh技术，它能将导通电阻显著降低至仅295毫欧，从而大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它不仅仅参数强悍，更懂得如何“聪明”地工作。优化的栅极特性让开关过程干净利落，有助于提升整体频率和效率。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费级产品的高性价比，STB18NM80都能让您轻松构建出更可靠、更紧凑的电力转换方案，将卓越性能转化为您的产品竞争力。