STB19NF20 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB19NF20技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够将200V高压下的导通电阻降至仅160毫欧的功率器件，能为您的系统带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的革新力作STB19NF20。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是MESH OVERLAY技术家族中的一颗明星，以其高达15A的连续漏极电流和90W的强大功率处理能力，重新定义了中高压应用的效率标准。

无论是工业电机驱动中需要精准控制的变频器，还是服务器电源里要求高效稳定的DC-DC转换模块，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电机(OBC)，STB19NF20都能游刃有余。其卓越的开关特性（栅极电荷Qg仅24nC）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的温升和更高的可靠性脱颖而出。当您需要一位值得信赖的合作伙伴来获取这颗高性能芯片时，专业的ST代理将是您坚实可靠的后盾。

选择STB19NF20，就是选择了一份安心与超越。它采用坚固的D2PAK封装，确保优异的散热性能和机械强度，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境。其优化的Vgs(th)阈值电压与±20V的宽泛栅极电压范围，为您提供了灵活且稳健的驱动设计空间。这意味着，从原型设计到批量生产，您都能获得一致的高性能表现，大幅缩短开发周期，加速产品上市。让STB19NF20成为您下一个成功项目的强大“心脏”，开启能效新纪元。

型号:STB19NF20
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:90W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB19NF20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STB19NF20正是为您而来。这颗基于先进MESH OVERLAY技术的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和15A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅160毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它集成了优异的动态特性，如低栅极电荷和输入电容，确保开关速度快、驱动简单，从而降低整体系统功耗。无论是用于工业自动化、电源供应还是能源转换，STB19NF20都能让您轻松提升功率密度和可靠性，将卓越性能转化为产品的核心竞争力。