STB200NF04-1

在追求极致效率的电力转换领域，您是否还在为寻找一款既能承载大电流又具备超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB200NF04-1。这颗源自意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET，以其高达120A的连续漏极电流和低至3.7毫欧的导通电阻，重新定义了40V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、实现设计精简化的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、高性能DC-DC转换器或电动工具的动力核心中，STB200NF04-1正默默发挥着关键作用。其卓越的电气特性意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更少的发热量和更高的能源利用率。无论是应对工业电机驱动中的频繁启停，还是满足不间断电源(UPS)对可靠性的严苛要求，它都能游刃有余。其坚固的I2PAK封装和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在恶劣环境下依然稳定如初，让您的产品设计无惧挑战。

选择STB200NF04-1，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效。尽管其已进入停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获得有保障的库存和可靠的技术支持，确保项目延续与生产无忧。它代表了一个时代的经典设计哲学在给定的规格内将性能推向极致。对于许多成熟且对成本与性能平衡有极高要求的应用而言，它依然是难以替代的优选。让这颗经典的功率器件，为您的下一个创新注入经久不衰的动力与信心。

• 型号:STB200NF04-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STB200NF04-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

当您的设计需要驾驭强大的电流时，STB200NF04-1就是您值得信赖的伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的120A连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅3.7毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

得益于STripFET II技术和稳健的I2PAK封装，它能在高达175°C的结温下稳定工作，轻松应对高功率密度设计的散热挑战。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STB200NF04-1都能为您提供坚实的硬件基础，助您轻松实现更卓越的产品性能。