STB200NF04L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB200NF04L技术参数详情：

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载120A大电流、导通电阻低至3.5毫欧的开关核心，将如何彻底改变您的设计格局？现在，答案就在STB200NF04L。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，为您带来前所未有的高性能体验。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发大扭矩的电机驱动，甚至是新能源汽车辅助系统中的高效DC-DC转换，STB200NF04L都能游刃有余。其高达40V的漏源电压和120A的连续电流能力，为各种中压、大电流应用提供了坚实的保障。在电机控制场景中，其快速的开关特性和极低的导通损耗，意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。对于电源设计师而言，这意味着可以在更小的空间内实现更高的功率密度，轻松应对日益严苛的能效标准。

选择STB200NF04L，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能。其D2PAK封装不仅提供了出色的散热能力，确保300W的功率耗散潜力得以稳定发挥，也兼容成熟的表面贴装工艺，简化您的生产流程。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和高端替代方案中依然极具价值。要获取这颗经典芯片的可靠库存或探讨替代升级方案，您可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供精准的供应链支持和技术建议。让STB200NF04L成为您打造下一代高效、可靠电力电子产品的秘密武器，开启性能与价值双赢的新篇章。

型号:STB200NF04L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB200NF04L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“硬核”开关管吗？STB200NF04L正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET II技术，在仅5V或10V的驱动电压下，就能实现低至3.5毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭高达120A的连续电流，让您的电源转换或电机驱动效率大幅提升，热量显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计大功率DC-DC转换器、电机控制器或同步整流电路时，拥有一个极其高效、可靠的核心开关。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速干净的开关动作，减少开关损耗。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的D2PAK封装，则赋予了它应对严苛环境挑战的底气，是您构建高性能、高可靠性系统的理想选择。