STB200NF04T4

当您的电源转换系统需要处理高达120A的电流，却受限于PCB空间和散热设计时，您是否曾为寻找一颗既能承载大功率又具备卓越效率的“核心开关”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体旗下的高性能功率器件STB200NF04T4。这颗基于先进STripFET II技术打造的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的高电流、高效率应用挑战而生，它将重新定义您对功率密度的理解。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STB200NF04T4凭借其仅为3.7毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在90A的大电流下依然能保持极低的导通损耗。这意味着更多的电能被高效传输，而非转化为无谓的热量。其高达310W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在恶劣环境下也能稳定运行，大幅提升了整个系统的可靠性与寿命。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

为何众多领先的设计师在面临关键选型时，会倾向于STB200NF04T4？理由清晰而有力。首先，其40V的漏源电压和120A的连续漏极电流能力，为48V及以下总线电压的各类应用提供了充足的裕量，设计更从容。其次，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关过程迅速而干净，不仅能减少开关损耗，提升整体能效，还能简化驱动电路设计，让您的系统响应更快、更敏捷。最后，经典的D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合自动化表面贴装生产，助力您快速实现规模化部署。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与货源支持，我们的ST芯片代理团队随时准备为您提供从选型到供应的全方位服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STB200NF04T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB200NF04T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭百安培级电流，同时将能量损耗降至最低的功率开关吗？STB200NF04T4正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的120A连续电流能力和仅3.7毫欧的超低导通电阻，让您在大功率DC-DC转换、电机驱动或电源分配系统中，能够实现极高的能源转换效率，显著降低系统发热。

它基于意法半导体成熟的STripFET II技术，不仅开关速度快，栅极驱动设计也更为简便。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热性能，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，让您的产品即使在苛刻环境下也能稳定高效地长期运行。选择它，就是为您的核心动力模块注入了可靠与高效的双重保障。