STB20N95K5

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持高效低损耗的“心脏”而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STB20N95K5。这颗N沟道功率MOSFET，以其卓越的950V漏源电压和17.5A的连续漏极电流能力，重新定义了高压应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、可靠、紧凑化设计的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的太阳能逆变器中，STB20N95K5正大显身手。它超低的导通电阻（典型值远低于330毫欧）意味着在传导过程中更少的能量以热量的形式被浪费，直接提升了整机效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让高频高效运行成为可能。面对复杂的电磁环境，其坚固的设计和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了无与伦比的可靠性保障。

选择STB20N95K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和前沿技术。SuperMESH5技术专为极致降低Rds(on)和优化动态性能而生，让您在应对高压场景时游刃有余。其表面贴装D2PAK封装兼具出色的功率处理能力（高达250W）和便于自动化生产的优势，是平衡性能与成本的理想选择。无论您是设计新一代高效电源，还是升级现有功率架构，这颗芯片都能为您注入强大的动力与信心。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的官方授权ST代理网络将为您提供专业、快捷的全方位服务。

• 型号:STB20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STB20N95K5为您带来颠覆性的解决方案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达950V的击穿电压和17.5A的电流承载能力，专为应对严苛的高压环境而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻显著减少了导通损耗，而优化的开关特性则最大限度地降低了开关损耗，双管齐下，全面提升系统能效。同时，其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战下都能稳定运行。选择它，您就能轻松构建出性能强劲、散热优异且体积紧凑的下一代功率系统。