STB21NM50N-1

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑的功率转换方案时，是否曾思考过，一颗性能卓越的功率开关器件能带来多大的改变？今天，我们为您带来一个能显著提升系统能效与可靠性的解决方案STB21NM50N-1。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为应对高压、高效率的严苛应用而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动器中，稳定与高效是生命线。STB21NM50N-1凭借其500V的漏源电压和高达18A的连续漏极电流能力，为这些核心应用提供了坚实的动力保障。其超低的190毫欧导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STB21NM50N-1，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。MDmesh II技术优化了单元结构，在保持快速开关特性的同时，显著降低了栅极电荷和输出电容，这有助于减少开关损耗，让您的电源设计在高频下运行得更加游刃有余。其坚固的I2PAK通孔封装确保了出色的散热能力和机械可靠性，即使在高达150°C的结温下也能稳定工作。如果您正在寻找可靠的供货渠道，专业的ST代理商将为您提供全面的技术支持与供应链服务。让这颗集高性能、高可靠性于一身的功率器件，成为您下一代高效能产品设计中不可或缺的核心引擎，驱动创新，赢取未来。

• 型号:STB21NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STB21NM50N-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关应用中的损耗和散热问题烦恼吗？STB21NM50N-1正是为您的高效解决方案而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V/18A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅190毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对严苛的工业环境，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能帮助您提升开关频率，从而缩小磁性元件尺寸，实现更紧凑、更具成本效益的设计。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高性能基因，让您在追求功率密度与能效极限的道路上领先一步。