STB21NM60N-1

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的选择而反复权衡？当600V的电压平台遇上17A的连续电流需求，一款兼具性能与稳健性的MOSFET往往是决定项目成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh系列中的经典力作STB21NM60N-1。它不仅仅是一个功率开关，更是您提升系统效率、简化散热设计、确保长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率照明镇流器等应用场景中，系统需要在高压下频繁开关，同时承受可观的电流应力。这正是STB21NM60N-1大显身手的舞台。其600V的漏源电压（Vdss）为您提供了充足的安全裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而高达17A的连续电流处理能力，意味着它能够驱动更强大的负载，让您的设备输出更充沛的动力。得益于MDmesh技术的加持，它在导通电阻（Rds(on)）与开关损耗之间取得了精妙的平衡，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更高效。

选择STB21NM60N-1，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。其通孔I2PAK封装不仅提供了优异的散热路径，便于与散热器紧密结合，将高达140W的功率耗散轻松导出，确保芯片结温（Tj）始终处于安全的150°C范围内。这意味着在严苛的环境下，它依然能保持稳定工作，极大延长了产品的使用寿命。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或经典设计延续的理想选择。对于需要可靠供货与技术支持的用户，通过官方授权的ST代理渠道，您依然可以获得相关的库存与解决方案支持，为您的产品保驾护航。

总而言之，STB21NM60N-1以其坚固的电压耐受性、强大的电流承载能力和优化的开关特性，为您的高压功率应用提供了一个高效、可靠的解决方案。它承载着意法半导体在功率半导体领域深厚的技术积淀，是帮助您攻克能效挑战、打造差异化产品的强大基石。

• 型号:STB21NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STB21NM60N-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STB21NM60N-1正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和17A的连续电流能力，基于先进的MDmesh技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，能轻松管理高达140W的功率耗散，确保在150°C的高结温下稳定运行。这意味着您可以简化散热设计，提升系统可靠性。无论是应对频繁开关，还是承受浪涌冲击，它都能为您提供稳健的支持，是构建耐用、高效电力转换系统的核心之选。