STB22NS25ZT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB22NS25ZT4技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高压、大电流场景下稳定输出，同时兼顾出色散热与紧凑布局的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来的STB22NS25ZT4，正是意法半导体MESH OVERLAY系列中一颗历经市场验证的明星级N沟道MOSFET，它用高达250V的漏源电压和22A的连续漏极电流承载能力，为您的设计注入强劲而可靠的心脏。即便面对复杂的电磁环境与严苛的温升挑战，其优化的栅极电荷与导通电阻特性，也能显著降低开关损耗与导通损耗，让系统整体效率轻松跃升新台阶。

这颗芯片的身影，广泛活跃于那些对性能与空间同样挑剔的应用前沿。无论是服务器电源、工业变频器中的关键开关节点，还是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换模块，STB22NS25ZT4都能凭借其D2PAK封装带来的优异散热性能和表面贴装的工艺便利性，帮助工程师在有限的PCB面积内构建出功率密度更高、热管理更从容的解决方案。在UPS不间断电源、电机驱动乃至高功率LED照明驱动领域，它同样是实现高效、稳定能量控制的可靠选择。

选择STB22NS25ZT4，意味着您选择了一份源自意法半导体的品质背书与性能保障。其MESH OVERLAY技术确保了芯片在高压下的坚固性与一致性，而宽广的-55°C至150°C结温工作范围，则赋予了产品应对极端气候与高强度连续运行的强大底气。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、卓越的性能以及在众多成功案例中积累的口碑，使其依然是特定高可靠性或延续性项目中的优选器件。如需获取库存、替代方案或技术支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队将为您提供全面的服务。让这颗凝聚了智慧与工艺的功率器件，成为您下一代产品在效率与可靠性竞赛中脱颖而出的秘密武器。

型号:STB22NS25ZT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:151 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:135W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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想象一下，在您的电源或电机驱动板卡上，一颗功率开关器件如何能同时驾驭250V的高压和22A的大电流，还能保持冷静与高效？STB22NS25ZT4正是为此而生。它采用先进的N沟道MOSFET技术，为您提供强劲的功率处理能力，其低至150毫欧的导通电阻（最大值）与优化的栅极电荷，能显著减少能量损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

这颗芯片封装于坚固的D2PAK中，具备出色的散热特性，表面贴装设计让您能轻松实现高密度布局。无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费类产品对紧凑空间的追求，它都能让您的功率转换设计更加游刃有余，可靠地守护每一次开关动作。