STB24N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB24N60M2技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STB24N60M2。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和18A的连续电流能力，天生就是为高效能量转换而生的强者。它采用了先进的MDmesh II Plus技术，将超低的导通电阻与极快的开关速度完美结合，这意味着在您的电源、电机驱动或照明应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，直接提升整体系统效率，让每一分电能都物尽其用。

想象一下，在服务器电源、工业变频器或是高性能LED驱动器中，STB24N60M2能够游刃有余地应对高频开关的严苛挑战。其仅190毫欧的导通电阻（在9A，10V条件下）和优化的栅极电荷特性，确保了在频繁的开关动作中依然保持冷静，发热更少，系统运行更稳定可靠。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的硬开关，还是LLC谐振拓扑中的软开关，它都能提供出色的性能表现，帮助您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的能效脱颖而出。

选择STB24N60M2，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。它不仅仅是一个参数优秀的半导体器件，更是ST意法半导体深厚技术积累的体现。其坚固的D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让STB24N60M2成为您下一代高能效设计的核心动力，轻松实现更高效、更紧凑、更可靠的系统升级，开启能效新纪元。

型号:STB24N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找能同时兼顾高效率与高可靠性的功率开关解决方案吗？STB24N60M2正是您期待的答案。这颗采用MDmesh II Plus技术的600V/18A N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计事半功倍。其超低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统能效，让您的产品在能耗表现上领先一步。

它能让您轻松应对PFC、电机驱动、UPS和照明等应用中的高频开关挑战。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动需求，从而简化您的驱动电路设计。搭配坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，STB24N60M2为您提供的是持久稳定的高性能输出，是打造高效、紧凑、可靠电力系统的理想核心器件。