STB24NM60N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持冷静与高效的核心功率开关？答案就在STB24NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的漏源电压和17A的连续漏极电流能力，为您的高要求应用注入强劲而稳定的动力源泉。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh II系列先进技术的结晶，旨在将卓越的开关性能与超低的导通损耗完美结合，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高功率LED照明驱动器中，STB24NM60N正扮演着能量高效转换的核心角色。其仅190毫欧的超低导通电阻（在8A, 10V条件下），意味着在导通状态下更少的能量以热量形式浪费，直接提升了系统整体效率，并降低了散热设计的复杂度与成本。无论是应对频繁启停的电机控制，还是需要持续稳定输出的开关电源，它都能游刃有余，确保系统运行如丝般顺滑且持久可靠。

选择STB24NM60N，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其优化的栅极电荷（Qg最大值46nC @10V）和输入电容特性，显著降低了开关损耗，让高频开关应用也能轻松实现高效率。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和坚固的D2PAK封装，赋予了它无与伦比的环境适应性与机械鲁棒性。当您追求极致的功率密度与能效时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们的合作伙伴ST一级代理将为您提供全方位的服务，助您项目成功。

• 型号:STB24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关而烦恼吗？让STB24NM60N来为您解决难题！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和17A的电流处理能力，是您构建高效、紧凑电源系统的理想选择。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。超低的导通电阻（仅190毫欧）意味着更少的导通损耗和发热，直接提升系统效率；优化的开关特性（栅极电荷仅46nC）让高频开关操作更加轻松高效，有效降低整体功耗。无论是工业驱动、电源转换还是照明应用，它都能助您打造出更节能、更可靠的产品。