STB25NM50N

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STB25NM50N。这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和22A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与稳定的代名词。即便在宣布停产后，其卓越的性能和广泛的市场验证，依然使其在特定应用和库存市场中闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明驱动器中，系统需要在高压下进行快速、高效的开关。STB25NM50N正是为此而生。其MDmesh II技术显著降低了导通电阻，在11A电流、10V驱动电压下，Rds(On)最大值仅为140毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，确保了快速的开关速度，从而有效降低开关损耗，让您的电源系统整体效率轻松攀升。其坚固的D2PAK封装和高达160W的功率耗散能力，更是为系统在严苛环境下的长期稳定运行提供了坚实保障。

选择STB25NM50N，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份经过时间淬炼的可靠性背书。对于仍在运行的老产品线维护、或是对成本与性能有特殊平衡要求的项目，这颗芯片提供了难以逾越的价值。它的存在，让升级或维护变得简单而经济。如果您正在寻找可靠的货源进行设计延续或备货，专业的ST代理商将是您获取正品库存和支持的得力伙伴。让STB25NM50N的成熟魅力，继续为您的电力电子设计注入高效与稳定的核心动力。

• 型号:STB25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB25NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关核心吗？STB25NM50N正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和22A的连续电流处理能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动应用而设计。

它采用了ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻（Rds(On)），从而减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的动态参数帮助提升开关频率，让您的设计在性能和效率上找到完美平衡。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热能力和机械可靠性，轻松应对高功率应用挑战。