STB26NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB26NM60N技术参数详情：

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？当面对600V高压应用时，工程师们最关心的莫过于如何在严苛的工况下，同时实现高效率、低损耗和出色的散热表现。今天，我们为您带来的STB26NM60N，正是意法半导体MDmesh II系列中的一颗明星产品，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或PFC电路中，这颗芯片正以其600V的坚固耐压和高达20A的连续电流承载能力，从容应对各种电压尖峰和负载波动。其核心魅力在于MDmesh II专利技术带来的超低导通电阻在10A电流、10V驱动下仅165毫欧，这意味着更少的导通损耗，更多的电能被高效转化为有用功，直接为您节省能源成本，并降低系统的温升压力。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是电焊机、太阳能逆变器，STB26NM60N都能凭借其卓越的开关性能和140W的强大散热能力，确保设备在高温高负荷下依然稳定运行，将系统可靠性提升到一个新的高度。

选择STB26NM60N，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的技术方案。它不仅仅提供了优异的电气参数，更通过优化的栅极电荷（Qg仅60nC）和输入电容，让您的驱动电路设计更为简化，开关速度更快，整体系统效率自然水涨船高。其D2PAK的表面贴装封装，兼顾了功率处理能力和自动化生产的便利性。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STB26NM60N成为您下一代高性能设计的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STB26NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压大电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？STB26NM60N N沟道功率MOSFET专为解决此类挑战而生。它集成了意法半导体先进的MDmesh II技术，为您带来低至165毫欧的导通电阻和仅60nC的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能轻松处理高达600V的电压和20A的连续电流，其坚固的D2PAK封装确保了出色的功率耗散能力。无论是提升现有设计的能效，还是开发面向工业自动化、新能源领域的新产品，STB26NM60N都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，实现性能的飞跃。