STB270N4F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB270N4F3技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够承载160A大电流却仅有2.5毫欧导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？今天，我们为您带来的正是这样一款颠覆性的解决方案STB270N4F3。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET III技术的巅峰之作，专为应对严苛的汽车级应用而生，其卓越的性能参数背后，是系统整体效率的飞跃和可靠性的坚实保障。

当您将它置于车载DC-DC转换器的核心，或是电机驱动桥臂的关键位置时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为更少的能量损耗和更低的温升。这意味着，在同样的空间和散热条件下，您的系统可以输出更大的功率，或者以更紧凑的设计实现相同的性能目标。从电动助力转向到电池管理系统，从48V混动架构到高功率LED驱动，STB270N4F3都能游刃有余，确保动力传输干净利落，能量转换高效精准。其AEC-Q101认证的汽车级品质，更是为您的产品在振动、高温和长寿命要求面前，筑起了无可挑剔的信任防线。

选择STB270N4F3，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它高达330W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，让您的产品能够从容应对各种极端环境挑战。表面贴装的D2PAK封装兼顾了功率处理能力与自动化生产的便利性。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、高可靠性和高性价比的功率开关方案，那么这款芯片无疑是您的理想之选。通过与值得信赖的ST代理合作，您可以轻松获得完整的技术支持和供应链保障，让创新之旅再无后顾之忧。

型号:STB270N4F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:330W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找那颗能扛起大电流重任又保持“冷静”的功率核心吗？STB270N4F3正是为您而来的答案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的160A连续电流能力和低至2.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，运行更凉爽、更持久。

它专为汽车级严苛环境打造，通过AEC-Q101认证，可在-55°C到175°C的结温范围内稳定工作。高达330W的功率耗散和优化的栅极电荷设计，让您轻松驾驭高频开关应用，实现更紧凑、更高效的电路布局。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏。