STB28N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与22A大电流，并将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？这正是STB28N60M2为您呈现的答案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、缩小产品体积并降低整体成本的核心引擎。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便更加清晰可见。在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动器中，它都能游刃有余。其卓越的600V耐压能力，让它在面对电网波动或感性负载关断产生的电压尖峰时稳如磐石，为系统安全筑起第一道防线。而高达22A的连续电流处理能力，意味着它能够轻松驱动大功率负载，确保能量高效、稳定地传输。无论是需要长时间满载运行的工业设备，还是对空间极为敏感的消费类电源适配器，STB28N60M2都能凭借其优异的性能与D2PAK封装带来的良好散热特性，成为工程师信赖的选择。

那么，在众多同类产品中，为何要坚定地选择STB28N60M2？其核心秘密在于它所采用的ST意法半导体独有的MDmesh II Plus技术。这项技术革命性地优化了芯片内部结构，使其在保持超低导通电阻（仅150毫欧）的同时，还大幅降低了栅极电荷和开关损耗。这意味着您的系统不仅能减少导通时的能量浪费，还能在高速开关状态下运行得更“冷静”、更高效，直接提升整机效率并简化散热设计。选择它，就是选择了一种经过市场验证的可靠技术平台。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的ST授权代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STB28N60M2成为您下一代高性能电源设计的基石，共同开启能效新纪元。

• 型号:STB28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB28N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关？STB28N60M2正是为此而生。它基于ST先进的MDmesh II Plus技术打造，拥有600V的坚固耐压和22A的强大电流吞吐能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时信心倍增。

这颗芯片的核心价值在于其极低的导通损耗与出色的开关性能。仅150毫欧的超低导通电阻，意味着能量在传输过程中的浪费被降至最低，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷特性让开关动作更加迅速、干净，显著降低开关损耗与发热，让您的设备运行更凉爽、更可靠。

采用坚固的D2PAK表面贴装封装，它不仅提供了优异的功率耗散能力（高达170W），还简化了您的PCB布局与生产流程。选择STB28N60M2，就是选择了一个能轻松应对严苛工作环境、助力您打造高效紧凑功率解决方案的强力伙伴。