STB28NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对紧凑空间和散热挑战时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？答案或许就藏在STB28NM50N这颗强大的N沟道功率MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这颗芯片天生就为高效而生，其卓越的电气特性将直接转化为您产品的核心优势。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明和电焊机等严苛的应用场景中，STB28NM50N正以其500V的高耐压和21A的连续电流能力，从容应对各种电压尖峰和负载波动。其超低的导通电阻（Rds(on)）意味着在电流通过时产生的热量更少，这不仅提升了整体能效，也让您的散热设计变得更加轻松，系统运行更加安静、可靠。在追求绿色节能和紧凑设计的今天，这种高效低耗的特性正是市场最迫切的需求。

选择STB28NM50N，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它采用坚固的D2PAK封装，确保了出色的功率处理能力和长期可靠性，即使在高达150°C的结温下也能稳定工作。这意味着您的产品寿命更长，故障率更低，客户满意度自然水涨船高。当您决定将这份卓越性能融入您的下一个设计时，可以联系专业的ST代理商，他们不仅能提供稳定的货源和技术支持，更能帮助您快速将创意转化为成功的产品。让STB28NM50N成为您设计中那颗最闪亮、最可靠的“心脏”，驱动您的业务迈向新的高峰。

• 型号:STB28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB28NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STB28NM50N为您带来颠覆性的改变！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和21A的强大电流吞吐能力，能轻松驾驭从工业电源到电机驱动的各种严苛任务。

它的核心魅力在于极致的效率。超低的导通电阻大幅减少了导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的栅极电荷和开关特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与竞争力的基因。