STB2N62K3

您是否正在为开关电源、电机驱动或照明系统寻找一颗能在高压下稳定工作，同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案？想象一下，当您的设计面临620V的电压挑战时，一颗性能卓越的MOSFET就是系统坚固耐用的基石。今天，我们向您隆重推荐意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STB2N62K3。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的强大引擎。

这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，天生就是为高效能应用而生的。其高达620V的漏源电压（Vdss）和2.2A的连续漏极电流，让它在面对市电整流后的高压或工业环境中的电压波动时，依然能从容不迫，为您的电源转换、功率因数校正（PFC）或电机控制电路提供坚实的保护。更令人惊喜的是，它在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为3.6欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。当系统效率提升，散热压力减小，产品的可靠性和寿命自然水涨船高，让您的终端用户享受到更稳定、更耐用的使用体验。

无论是紧凑型适配器、LED驱动电源，还是家用电器中的辅助电源，STB2N62K3都能大显身手。其TO-263（DPak）的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，便于自动化生产，其优异的散热性能更能确保芯片在高达150°C的结温下稳定工作。选择它，就是为您的设计选择了一份来自世界级半导体制造商的品质承诺。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能为您提供正品货源和技术支持，更能帮助您快速将这颗高性能芯片的优势转化为产品的市场优势。在追求更高功率密度和更优能效比的今天，让STB2N62K3成为您设计中不可或缺的可靠伙伴，共同开启高效、节能的新篇章。

• 型号:STB2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STB2N62K3来为您解决！这颗基于SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的电流能力，能轻松应对开关电源、电机控制等场景的严苛要求。

它的核心价值在于高效与可靠。仅3.6欧姆的低导通电阻，能显著降低功率损耗，提升整体系统效率；同时，优异的封装散热设计支持高达45W的功率耗散，让您的设备运行更凉爽、更稳定。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的性能基石。