STB30N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB30N65M5技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为开关损耗、热管理和系统稳定性而反复权衡？今天，我们为您带来一个能彻底改变游戏规则的答案意法半导体MDmesh V系列中的明星产品：STB30N65M5。这颗650V、22A的N沟道MOSFET，以其革命性的超低导通电阻和卓越的开关性能，正重新定义中高功率应用的效率标准。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩中，STB30N65M5能够轻松应对严苛的工况。其139毫欧的超低导通电阻（@10V, 11A），意味着更低的传导损耗，直接将电能转化为宝贵的热量大幅减少。搭配仅64nC的低栅极电荷，它实现了开关速度与损耗的完美平衡，让您的系统在全负载范围内都能保持冷静、高效运行，功率耗散能力高达140W，结温可达150°C，可靠性毋庸置疑。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要持续高功率输出的UPS系统，它都能提供稳定如一的表现。

选择STB30N65M5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份面向未来的设计保障。它采用的先进MDmesh V技术，专为优化开关性能而生，能显著降低电磁干扰（EMI），简化您的滤波电路设计。表面贴装的D2PAK封装兼具出色的散热能力和自动化生产的便利性，能有效帮助您缩短开发周期，加速产品上市。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即将STB30N65M5纳入您的设计，亲身体验它如何为您的下一代高能效产品注入强劲动力与持久耐力。

型号:STB30N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？让STB30N65M5为您开启高效节能的新篇章。这颗来自意法半导体MDmesh V家族的650V/22A N沟道MOSFET，凭借其惊人的139毫欧超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源、电机驱动或充电设备运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对高达140W的功率耗散，确保系统在150°C结温下的稳定工作，其优化的动态特性还有助于减少电磁干扰。选择STB30N65M5，就是选择用一颗芯片提升整个系统的能效与可靠性，让您的产品在市场竞争中轻松赢得优势。