STB30NM60N

当您需要在高功率应用中实现卓越的效率和可靠性时，是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关而困扰？今天，我们为您带来一个经典而强大的解决方案STB30NM60N。这颗来自ST意法半导体的600V功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的深厚底蕴，即使在今天，依然是许多严苛设计的信赖之选。它不仅仅是一个元件，更是您系统稳定运行、高效转换的坚实保障。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效开关电源中，系统需要在高压、大电流下持续稳定工作。STB30NM60N正是为此而生。其高达600V的漏源电压和25A的连续漏极电流能力，让它能够从容应对各种浪涌和负载波动，确保您的设备在复杂工况下依然坚如磐石。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合那些对空间和可靠性都有高要求的工业级应用。

选择STB30NM60N，意味着您选择了一份经过市场长期验证的卓越性能。其低至130毫欧的导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关频率、减小磁性元件尺寸至关重要。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能使其在库存解决方案和特定延续设计中依然极具价值，通过可靠的ST代理商，您依然可以获取到高品质的原装产品，为您的经典设计或备件需求提供持续支持。这颗芯片承载的MDmesh II技术智慧，是帮助您简化设计、提升产品竞争力的关键一步。

• 型号:STB30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB30NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？让STB30NM60N为您提供强大助力。这颗600V/25A的N沟道功率MOSFET，采用ST先进的MDmesh II技术，其核心价值在于让您以更低的损耗实现高效功率切换。

它通过极低的导通电阻（典型值130毫欧）大幅减少导通状态下的能量浪费，同时优化的动态参数帮助您降低开关损耗，从而让整个电源系统运行得更凉爽、更高效。其坚固的D2PAK封装和高达190W的耗散能力，确保了在严苛环境下的长期可靠性，是您构建工业电机驱动、UPS和高端电源的可靠基石。