STB34N50DM2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB34N50DM2AG技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题所困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STB34N50DM2AG。这颗源自意法半导体尖端MDmesh DM2技术平台的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。它凭借500V的高耐压和26A的连续电流能力，在严苛的工业与汽车环境中展现出无与伦比的稳定性，其超低的120毫欧导通电阻，直接转化为更少的能量损耗和更低的温升，让您的系统运行更清凉、更持久。

想象一下，在电动汽车的车载充电机(OBC)中，它如何高效地处理能量流动；在服务器电源和工业电机驱动中，它又如何以极快的开关速度提升整体频率响应，缩小被动元件体积。无论是太阳能逆变器需要应对的复杂工况，还是通讯电源所追求的高功率密度，STB34N50DM2AG都能游刃有余。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它从晶圆到封装都经历了最严苛的验证，足以承受-55°C至150°C的结温范围，确保从寒带到热带，从启动瞬间到持续满载，性能始终如一。选择它，就是为您的产品注入了历经千锤百炼的耐久基因。

为何众多领先厂商在关键设计中纷纷转向这款器件？答案在于它带来的综合价值远超一个普通MOSFET。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)，显著降低了驱动损耗，让您的栅极驱动电路设计更简单、更高效。表面贴装的D2PAK封装提供了优异的散热能力和功率密度，同时便于自动化生产。当您与可靠的ST代理合作时，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位服务。选择STB34N50DM2AG，就是选择了一个经过市场验证的、能够降低系统总成本、加速产品上市并赢得终端用户信赖的卓越技术伙伴。立即体验，开启能效新纪元。

型号:STB34N50DM2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB34N50DM2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高效率、高可靠性和简化设计挑战的功率开关吗？STB34N50DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗500V/26A的N沟道MOSFET，采用意法半导体创新的MDmesh DM2技术，其核心优势在于将极低的导通电阻（仅120毫欧）与优化的动态特性完美结合。这意味着它能显著降低导通和开关损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量管理变得更轻松，系统运行更凉爽稳定。

它专为应对严苛环境而生，拥有汽车级AEC-Q101认证，工作结温高达150°C，确保在汽车、工业等高要求应用中持久可靠。其D2PAK封装兼顾了卓越的功率处理能力与散热性能。选择它，能让您的设计在效率、功率密度和长期可靠性上脱颖而出，轻松应对下一代高能效电子设备的挑战。