STB35NF10T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB35NF10T4技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高功率密度与稳定性能间取得完美平衡的开关器件而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STB35NF10T4。这款采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，以其高达40A的连续漏极电流和仅35毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的高效能体验。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低热损耗、实现设计小型化的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或高亮度LED照明驱动等严苛的应用场景中，STB35NF10T4能够轻松应对。其100V的漏源电压和高达115W的功率耗散能力，确保了在高压、大电流工作条件下的坚如磐石。无论是面对频繁的开关动作，还是持续的高负载运行，它都能保持出色的稳定性和长寿命，让您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得用户的持久信赖。

选择STB35NF10T4，就是选择了一份由顶尖技术与卓越品质共同铸就的保障。其极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，能效比再上新台阶。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们值得信赖的ST授权代理，您依然可以获得稳定可靠的货源和全面的技术支持。让我们携手，将这款经典器件的卓越性能，转化为您产品无可比拟的市场优势。

型号:STB35NF10T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:115W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率开关的效率瓶颈而烦恼吗？STB35NF10T4正是为您破解难题而来。这颗基于STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和40A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅35毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升整体能效和可靠性。

它专为要求严苛的功率应用而设计。无论是构建紧凑高效的DC-DC转换器，还是驱动高功率负载，STB35NF10T4都能让您游刃有余。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关性能，帮助您简化驱动电路设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”，轻松应对高功率挑战，赢得性能与稳定性的双重胜利。