STB36N60M6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB36N60M6技术参数详情：

当您的电源设计需要在效率与可靠性之间取得完美平衡时，您是否曾为寻找那颗"恰到好处"的功率开关而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STB36N60M6。这颗集尖端技术与卓越性能于一身的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的工业与消费类应用而生的解决方案，它将彻底改变您对功率转换效率的认知。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STB36N60M6正以其高达600V的漏源电压和30A的连续漏极电流稳定运行。其核心的MDmesh M6技术，通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了超低的导通电阻（典型值远低于99毫欧）与极低的栅极电荷（仅44.3nC）。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的系统温升、更高的整体效率，以及更长的产品寿命。在追求能源之星认证或提升产品竞争力的道路上，这颗芯片就是您最可靠的加速器。

无论是面对纷繁复杂的焊接电源、不断电系统(UPS)，还是要求严苛的太阳能逆变器，STB36N60M6都能轻松胜任。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下的稳定输出，而D2PAK封装则提供了优异的散热能力和机械强度，非常适合高功率密度设计。选择它，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一份由尖端技术背书的安心与高效。我们作为值得信赖的ST中国代理，致力于将这样的卓越产品与本地化的技术支持带给每一位工程师，帮助您将创意迅速转化为领先市场的产品。

所以，当您下一次审视BOM清单，思考如何提升能效、缩小体积或增强可靠性时，请将STB36N60M6纳入您的首选方案。它不仅仅是一个参数表上的选项，更是您实现设计突破、赢得市场先机的强大引擎。让我们携手，用这颗凝聚智慧的芯片，点亮更高效、更可靠的未来。

型号:STB36N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:208W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？让STB36N60M6为您开启高效节能的新篇章。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，集600V高耐压与30A大电流能力于一身，其卓越的低导通电阻与超低栅极电荷特性，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能源效率。

它专为应对严苛应用而优化，无论是工业电机驱动、服务器电源，还是UPS和太阳能逆变器，STB36N60M6都能提供稳定可靠的性能。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在复杂环境下的长久耐用性。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的核心动力，让您在设计竞争中脱颖而出。