STB36NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB36NM60N技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STB36NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的耐压和29A的连续电流能力，天生就是为高效、稳健的应用而打造。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、降低运营成本的关键赋能者。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，能量需要被快速、高效地转换；在工业电机驱动和服务器电源中，系统必须7x24小时稳定运行，任何故障都意味着巨大的损失。这正是STB36NM60N大显身手的舞台。其采用的先进MDmesh II技术，专为优化开关性能而生，能显著降低导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，从而直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您的设备运行得更“冷静”，其寿命和可靠性自然得到大幅提升。

选择STB36NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，这代表了它经历了严苛的可靠性测试，能够从容应对汽车电子乃至工业环境中的振动、高温和电压冲击。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和功率密度，让您的PCB布局更加游刃有余。无论您是设计新一代的太阳能逆变器、UPS不同断电源，还是高功率的LED照明驱动，这颗芯片都能提供坚实的性能基础。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将是您值得信赖的合作伙伴，为您提供从选型到量产的全方位支持。让STB36NM60N成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

型号:STB36NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:210W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗既能承受高压大电流，又能保持极高开关效率的功率开关吗？STB36NM60N正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和29A的连续电流能力，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更可靠。

它内置ST先进的MDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）同时优化至出色水平。这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，系统发热更低，整体能效显著提升。同时，其高达210W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了在严苛环境下依然稳定工作。选择它，就是为您的设计注入了强劲且持久的动力源泉。