STB40NF10T4

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升难以控制时，您是否渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？答案或许就藏在STB40NF10T4这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的关键伙伴。源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET II技术平台，这颗芯片以其卓越的电气特性，为工程师们提供了从容应对严苛应用挑战的底气。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或者高密度UPS系统中，每一次开关动作都关乎整体能效与寿命。STB40NF10T4正是为此类高压、大电流场景而生。其100V的漏源电压和高达50A的连续漏极电流能力，让它能够轻松驾驭主功率通路的开关任务。更令人印象深刻的是，在10V驱动下，其导通电阻低至惊人的28毫欧，这意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。这不仅直接提升了系统的整体效率，也显著降低了散热设计的复杂度和成本，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STB40NF10T4，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性与性能保障。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典与成熟，在大量现有设计和备件替换市场中依然拥有旺盛的生命力。其坚固的D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达150W），结合-50°C至175°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下的稳定表现。无论是应对瞬间的电流冲击，还是在持续高负荷下运行，它都能展现出强大的鲁棒性。如果您正在寻找这款经典器件的可靠供应渠道或技术支持，专业的ST中国代理将是您值得信赖的合作伙伴，他们能为您提供从选型到供应的完整支持。让这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，为您的下一个创新项目注入强劲而高效的动力。

• 型号:STB40NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换电路的效率和发热问题烦恼吗？让STB40NF10T4来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，是专为要求严苛的高压、大电流开关应用而设计的得力干将。

它拥有100V的耐压和50A的强大电流处理能力，配合STripFET II技术带来的超低导通电阻（仅28mΩ），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其优化的栅极电荷和坚固的D2PAK封装，进一步确保了快速开关性能和出色的散热能力，助您轻松提升产品可靠性和功率密度。