STB40NS15T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB40NS15T4技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为寻找一款能在高压、大电流场景下稳定发挥，同时兼顾出色热性能和开关效率的功率开关器件而反复权衡？现在，答案已经揭晓。意法半导体推出的STB40NS15T4，正是为满足此类严苛需求而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键动力源泉。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或不断电系统(UPS)的核心电路中，电流的每一次高效、精准的切换都至关重要。STB40NS15T4凭借其150V的漏源电压和高达40A的连续漏极电流承载能力，为这些高要求应用提供了坚实的硬件基础。其采用的MESH OVERLAY先进技术，在硅片层面实现了更优的单元密度与电流分布，这直接转化为更低的导通损耗。当您需要它全力工作时，仅52毫欧的超低导通电阻（在20A，10V条件下）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，让您的系统运行得更凉爽、更持久，整体能效显著跃升。

选择STB40NS15T4，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术保障与性能承诺。它卓越的开关特性，如优化的栅极电荷，有助于降低驱动损耗并提升开关频率，为设计更紧凑、功率密度更高的电源解决方案铺平道路。其坚固的D2PAK封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达300W），确保了在-65°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，更赋予了产品出色的机械强度和散热性能。无论面对的是工业环境的震动与温差，还是数据中心里7x24小时不间断运行的考验，它都能从容应对。如果您正在寻找可靠的原厂正品供应与专业的技术支持，通过官方授权的ST代理进行采购，将是确保项目顺利推进、获得完整价值链服务的最佳途径。让STB40NS15T4成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

型号:STB40NS15T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2420 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB40NS15T4正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有150V耐压和40A的强劲电流处理能力，其核心的MESH OVERLAY技术带来了仅52毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用表现。优化的栅极电荷特性让驱动设计更轻松，有助于提升开关频率，实现更高功率密度的设计。同时，坚固的D2PAK封装和高达300W的功率耗散能力，确保了它在严苛环境下的长期可靠性与卓越的散热性能。选择STB40NS15T4，就是为您的产品注入一颗高效、可靠、耐用的“动力核心”。